M29F800DB70N6T

M29F800DB70N6T中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 TSOP-48

外形尺寸

封装 TSOP-48

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买M29F800DB70N6T
型号: M29F800DB70N6T
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 5V电源快闪记忆体 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block 5V Supply Flash Memory
替代型号M29F800DB70N6T
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M29F800DB70N6T

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