MBRB20100CT-E3/8W

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MBRB20100CT-E3/8W概述

双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor

Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。

### 特点

专利 Trench 结构

提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率

高功率密度和低正向电压

### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor


立创商城:
MBRB20100CT-E3/8W


欧时:
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Diode Schottky 100V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


Verical:
Rectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263


MBRB20100CT-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.75 V

最大反向电压(Vrrm) 100 V

正向电流 20000 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A

正向电压Max 800mV @10A

正向电流Max 20 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 800

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBRB20100CT-E3/8W
型号: MBRB20100CT-E3/8W
制造商: VISHAY 威世
描述:双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

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