MUN5231DW1T1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MUN5231DW1T1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-88

外形尺寸

封装 SC-88

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买MUN5231DW1T1

型号： MUN5231DW1T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

替代型号MUN5231DW1T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MUN5231DW1T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MUN5231DW1T1G 安森美	类似代替	MUN5231DW1T1和MUN5231DW1T1G的区别
MUN5231T1G 安森美	类似代替	MUN5231DW1T1和MUN5231T1G的区别
MUN5231T1 安森美	类似代替	MUN5231DW1T1和MUN5231T1的区别