MMBT4124LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT4124LT1概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 30V NPN

Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 200 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 30V NPN

MMBT4124LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT4124LT1

型号： MMBT4124LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 30V NPN

替代型号MMBT4124LT1