MMRF1008GHR5

MMRF1008GHR5概述

RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1873

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 900MHz ~ 1.215GHz 20.3dB 275W NI-780GH-2L


得捷:
PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin CFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 275 W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1873


MMRF1008GHR5中文资料参数规格
技术参数

频率 900MHz ~ 1.215GHz

输出功率 275 W

增益 20.3 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 695pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780GH-2L

外形尺寸

封装 NI-780GH-2L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMRF1008GHR5
型号: MMRF1008GHR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1873

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