MMBZ16VTALT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMBZ16VTALT1G中文资料参数规格

技术参数

工作电压 13 V

击穿电压 15.68 V

耗散功率 300 mW

钳位电压 23 V

最大反向电压（Vrrm） 13V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 16.32 V

脉冲峰值功率 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBZ16VTALT1G

型号： MMBZ16VTALT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 2% VZ TOLERANCE

替代型号MMBZ16VTALT1G

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替代型号对比

MMBZ16VTALT1G

ON Semiconductor 安森美

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SZMMBZ16VALT1G

安森美

功能相似

MMBZ16VTALT1G和SZMMBZ16VALT1G的区别