MJB42CG

MJB42CG中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MJB42CG
型号: MJB42CG
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
替代型号MJB42CG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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