MMBTA56LT1G-HFE参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBTA56LT1G-HFE概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V

晶体管 - 双极 BJT - 单 PNP 50MHz 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

立创商城:
PNP 80V 500mA

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMBTA56LT1G-HFE中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： MMBTA56LT1G-HFE

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V