MJD122TF参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD122TF概述

ON Semiconductor MJD122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK TO-252封装

复合 NPN ，Fairchild Semiconductor

得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

立创商城:
MJD122TF

欧时:
ON Semiconductor MJD122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK TO-252封装

艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
MJD Series NPN 20 W 100 V 8 A SMT Silicon Darlington Transistor - TO-252-3

Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MJD122TF中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.8 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD122TF

型号： MJD122TF

描述：ON Semiconductor MJD122TF NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK TO-252封装

替代型号MJD122TF