MMBTA56Q-7-F

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MMBTA56Q-7-F概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 500 mA 50MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3


得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3


立创商城:
MMBTA56Q-7-F


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


MMBTA56Q-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBTA56Q-7-F
型号: MMBTA56Q-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
替代型号MMBTA56Q-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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美台

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