MMSTA63-7

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MMSTA63-7概述

达林顿晶体管 -500V 200mW

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3


贸泽:
达林顿晶体管 -500V 200mW


艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


MMSTA63-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMSTA63-7
型号: MMSTA63-7
制造商: Diodes 美台
描述:达林顿晶体管 -500V 200mW
替代型号MMSTA63-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMSTA63-7

Diodes 美台

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