MMST4126-7

MMST4126-7图片1
MMST4126-7概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -25V 200mW

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A SC70-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -25V 200mW


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


MMST4126-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 360

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MMST4126-7
型号: MMST4126-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -25V 200mW
替代型号MMST4126-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMST4126-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

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美台

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