MMBT3906LP-7

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MMBT3906LP-7概述

MMBT3906LP-7 编带

- 双极 BJT - 单 PNP 40 V 200 mA 300MHz 250 mW 表面贴装型 X1-DFN1006-3


得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN


立创商城:
PNP 40V 200mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIPOLAR TRANS PNP


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP MMBT3906LP-7 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 460 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin X1-DFN T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 460mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R


Win Source:
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN


DeviceMart:
TRANS PNP 40V 200MA 3DFN


MMBT3906LP-7中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

输入电容 10 pF

上升时间 35 ns

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 250 mW

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 460 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT3906LP-7
型号: MMBT3906LP-7
制造商: Diodes 美台
描述:MMBT3906LP-7 编带
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