MJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 DPAK
- 双极 BJT - 单 NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W 表面贴装型 TO-252，（D-Pak）
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Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
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频率 3 MHz
额定功率 1.56 W
极性 NPN
耗散功率 3.9 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 40 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.8 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD31C-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD31CQ-13 美台 | 类似代替 | MJD31C-13和MJD31CQ-13的区别 |
MJD31CTF 安森美 | 功能相似 | MJD31C-13和MJD31CTF的区别 |
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