MMBT3906T-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT3906T-7概述

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW Automotive 3Pin SOT-523 T/R

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-523 T/R

MMBT3906T-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MMBT3906T-7

型号： MMBT3906T-7

制造商： Diodes 美台

描述：Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW Automotive 3Pin SOT-523 T/R

立即咨询

替代型号MMBT3906T-7

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBT3906T-7 Diodes 美台	当前型号	当前型号
MMBT3906T-7-F 美台	完全替代	MMBT3906T-7和MMBT3906T-7-F的区别
MMBT3906T-TP 美微科	类似代替	MMBT3906T-7和MMBT3906T-TP的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBT3906T-7

Diodes 美台

当前型号

MMBT3906T-7-F

美台

完全替代

MMBT3906T-7和MMBT3906T-7-F的区别

MMBT3906T-TP

美微科

类似代替

MMBT3906T-7和MMBT3906T-TP的区别