MMDT3906V-7

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MMDT3906V-7概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563


得捷:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR


MMDT3906V-7中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMDT3906V-7
型号: MMDT3906V-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR
替代型号MMDT3906V-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMDT3906V-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

NST3906DXV6T5

安森美

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