MMDT3906-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMDT3906-7概述

特点•双PNP小信号面装载晶体管 •外延平面电路小..

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 30~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.4V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | 表面双PNP型小信号山　　外延平面模施工　　理想的低功率放大和开关技术文档PDF下载 | 在线阅读

MMDT3906-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-6

外形尺寸

封装 SOT-323-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

MMDT3906-7引脚图与封装图

在线购买MMDT3906-7

型号： MMDT3906-7

制造商： Diodes 美台

描述：特点•双PNP小信号面装载晶体管 •外延平面电路小..

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替代型号MMDT3906-7

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMDT3906-7 Diodes 美台	当前型号	当前型号
MMDT3906-7-F 美台	完全替代	MMDT3906-7和MMDT3906-7-F的区别
MBT3906DW1T1G 安森美	功能相似	MMDT3906-7和MBT3906DW1T1G的区别
MMDT3906-TP 美微科	功能相似	MMDT3906-7和MMDT3906-TP的区别