MMDT2907V-7

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MMDT2907V-7概述

2个PNP 60V 150mW 10nA

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP(双) 60V 600mA 200MHz 150mW 表面贴装型 SOT-563


立创商城:
2个PNP 60V 600mA


得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP MMDT2907V-7 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-563 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR DUAL PNP 60V SOT-563


MMDT2907V-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMDT2907V-7
型号: MMDT2907V-7
制造商: Diodes 美台
描述:2个PNP 60V 150mW 10nA
替代型号MMDT2907V-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMDT2907V-7

Diodes 美台

当前型号

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Central Semiconductor

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