MJD32CQ-13

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MJD32CQ-13概述

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3Pin2+Tab TO-252 T/R

The three terminals of this PNP GP BJT from Zetex give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 15000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

MJD32CQ-13中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

极性 PNP

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 15 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD32CQ-13引脚图与封装图
MJD32CQ-13引脚图
MJD32CQ-13封装图
MJD32CQ-13封装焊盘图
在线购买MJD32CQ-13
型号: MJD32CQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3Pin2+Tab TO-252 T/R
替代型号MJD32CQ-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD32CQ-13

Diodes 美台

当前型号

当前型号

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美台

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MJD32CQ-13和MJD32C-13的区别

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