MMBT123S 系列 18 V 1 A 300 mW NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-23-3
Use this versatile NPN GP BJT from Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 18 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 100 MHz
额定电压DC 18.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 300 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 18 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT123S-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT123S-7 美台 | 完全替代 | MMBT123S-7-F和MMBT123S-7的区别 |