MMDT4126-7

MMDT4126-7图片1
MMDT4126-7图片2
MMDT4126-7概述

TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 25V 200mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


MMDT4126-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-6

外形尺寸

封装 SOT-323-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

MMDT4126-7引脚图与封装图
MMDT4126-7引脚图
MMDT4126-7封装图
MMDT4126-7封装焊盘图
在线购买MMDT4126-7
型号: MMDT4126-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
替代型号MMDT4126-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMDT4126-7

Diodes 美台

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MMDT4126-7和MMDT4126-7-F的区别

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