Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 3Pin SOT-323 T/R
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R
额定电压DC 160 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMST5551-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
MMST5551-7-F 美台 | 类似代替 | MMST5551-7和MMST5551-7-F的区别 |