MMBT123S-7概述
Trans GP BJT NPN 18V 1A 3Pin SOT-23 T/R
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 18V 1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 18V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT123S-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 18.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 18 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
替代型号MMBT123S-7
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT123S-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT123S-7-F 美台 | 完全替代 | MMBT123S-7和MMBT123S-7-F的区别 |