MMBT4126-7

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MMBT4126-7概述

TRANS PNP -25V 300mW SMD SOT23-3

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


MMBT4126-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买MMBT4126-7
型号: MMBT4126-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PNP -25V 300mW SMD SOT23-3
替代型号MMBT4126-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT4126-7

Diodes 美台

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MMBT4126-7和MMBT4126-7-F的区别

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