MJD31CUQ-13

MJD31CUQ-13图片1
MJD31CUQ-13概述

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount TO-252, D-Pak


得捷:
TRANS NPN 100V 3A TO252


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


MJD31CUQ-13中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定功率 1.6 W

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 4V

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MJD31CUQ-13
型号: MJD31CUQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

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