MRF13750H-915MHZ

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MRF13750H-915MHZ概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 750W 915MHz

\- MRF13750H 晶体管 902MHz ~ 928MHz 评估板


得捷:
MRF13750H REF BRD 915MHZ 750W


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 750W 915MHz


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230H


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230H


MRF13750H-915MHZ中文资料参数规格
技术参数

频率 700MHz ~ 1.3GHz

耗散功率 1.333 kW

输出功率 750 W

增益 20.6 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1333000 mW

额定电压 105 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4H

外形尺寸

封装 NI-1230-4H

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: MRF13750H-915MHZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 750W 915MHz

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