MRFX600GSR5

MRFX600GSR5概述

晶体管, 射频FET, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780GS

RF Mosfet LDMOS(双) 65 V 100 mA 1.8MHz ~ 400MHz 26.4dB 600W NI-780GS-4L


得捷:
TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V


e络盟:
晶体管, 射频FET, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780GS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R


MRFX600GSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.8MHz ~ 400MHz

针脚数 4

耗散功率 1.333 kW

漏源极电压Vds 179 V

输出功率 600 W

增益 26.4 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 299pF @65VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1333000 mW

额定电压 179 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-780GS-4L

外形尺寸

封装 NI-780GS-4L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MRFX600GSR5
型号: MRFX600GSR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管, 射频FET, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780GS

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