RAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 SRAM。### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,
串行静态随机存取存储器 SRAM。
得捷:
IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
立创商城:
N64S830HAS22I
欧时:
ON Semiconductor N64S830HAS22I, 64kb SRAM 内存芯片, 8K x 8 位, 20MHz, 2.5 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
贸泽:
静态随机存取存储器 64KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器
艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3V 64K-Bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Allied Electronics:
N64S830HAS22I SRAM Memory Chip, 64kb, 2.5 - 3.6 V, 5ns 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3V 64K-bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
频率 20 MHz
电源电压DC 2.50V min
无卤素状态 Halogen Free
时钟频率 20 MHz
位数 8
存取时间 25 ns
内存容量 8000 B
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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N64S830HAS22I ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
N64S830HAS22IT 安森美 | 完全替代 | N64S830HAS22I和N64S830HAS22IT的区别 |
N64S830HAT22I 安森美 | 类似代替 | N64S830HAS22I和N64S830HAT22I的区别 |
CY14MB064Q1B-SXI 赛普拉斯 | 类似代替 | N64S830HAS22I和CY14MB064Q1B-SXI的区别 |