ON SEMICONDUCTOR N25S830HAS22I 芯片, SRAM, 256Kb, 8-SOIC
静态 RAM,
串行静态随机存取存储器 SRAM。
得捷:
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
立创商城:
串行 SRAM 内存,256-kb,3.0 V
欧时:
ON Semiconductor N25S830HAS22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
e络盟:
SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 2.7V 至 3.6V, SOIC, 8 引脚
艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-Bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
安富利:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-Bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Verical:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR N25S830HAS22I SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, SOIC, 8 Pins
Win Source:
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC / SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 SPI 20 MHz 8-SOIC
频率 20 MHz
电源电压DC 2.70V min
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 8
时钟频率 20 MHz
位数 8
存取时间 25 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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N25S830HAS22I ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
N25S830HAS22IT 安森美 | 完全替代 | N25S830HAS22I和N25S830HAS22IT的区别 |
N25S830HAT22IT 安森美 | 完全替代 | N25S830HAS22I和N25S830HAT22IT的区别 |
N25S830HAT22I 安森美 | 类似代替 | N25S830HAS22I和N25S830HAT22I的区别 |