N25S830HAS22I

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N25S830HAS22I概述

ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAS22I  芯片, SRAM, 256Kb, 8-SOIC

静态 RAM,

串行静态随机存取存储器 SRAM。


得捷:
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC


立创商城:
串行 SRAM 内存,256-kb,3.0 V


欧时:
ON Semiconductor N25S830HAS22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装


e络盟:
SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 2.7V 至 3.6V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-Bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


安富利:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-Bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Verical:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAS22I  SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC / SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 SPI 20 MHz 8-SOIC


N25S830HAS22I中文资料参数规格
技术参数

频率 20 MHz

电源电压DC 2.70V min

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

位数 8

存取时间 25 ns

内存容量 32000 B

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

N25S830HAS22I引脚图与封装图
N25S830HAS22I引脚图
N25S830HAS22I封装图
N25S830HAS22I封装焊盘图
在线购买N25S830HAS22I
型号: N25S830HAS22I
描述:ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAS22I  芯片, SRAM, 256Kb, 8-SOIC
替代型号N25S830HAS22I
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

N25S830HAS22I

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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安森美

完全替代

N25S830HAS22I和N25S830HAS22IT的区别

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