N25S830HAT22I

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N25S830HAT22I概述

ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAT22I  芯片, 存储器, SRAM, 256Kb, 串行口, 20MHz, TSSOP-8

静态 RAM,

串行静态随机存取存储器 SRAM。

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP


欧时:
ON Semiconductor, N25S830HAT22I


立创商城:
串行 SRAM 内存,256-kb,3.0 V


贸泽:
静态随机存取存储器 256KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器


e络盟:
SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 2.7V 至 3.6V, TSSOP, 8 引脚


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin TSSOP Tube


Allied Electronics:
N25S830HAT22I SRAM Memory Chip, 256kbit, 2.7 - 3.6 V, 25ns 8-Pin TSSOP


安富利:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-Bit 32K x 8 25ns 8-Pin TSSOP Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin TSSOP Tube


Verical:
SRAM Chip Sync Single 3V 256K-bit 32K x 8 25ns 8-Pin TSSOP Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAT22I  SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V to 3.6V, TSSOP, 8 Pins


力源芯城:
256kb,低功耗串行SRAMs


N25S830HAT22I中文资料参数规格
技术参数

频率 16.0 MHz

电源电压DC 2.70V min

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

位数 8

存取时间 25 ns

内存容量 32000 B

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

N25S830HAT22I引脚图与封装图
N25S830HAT22I引脚图
N25S830HAT22I封装图
N25S830HAT22I封装焊盘图
在线购买N25S830HAT22I
型号: N25S830HAT22I
描述:ON SEMICONDUCTOR  N25S830HAT22I  芯片, 存储器, SRAM, 256Kb, 串行口, 20MHz, TSSOP-8
替代型号N25S830HAT22I
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

N25S830HAT22I

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

N25S830HAS22IT

安森美

完全替代

N25S830HAT22I和N25S830HAS22IT的区别

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