NX7002BKR

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NX7002BKR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 310mW Ta, 1.67W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.27A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 23.6pF @10VVds

额定功率Max 310 mW

下降时间 2.9 ns

耗散功率Max 310mW Ta, 1.67W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NX7002BKR
型号: NX7002BKR
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOS场效应管/NX7002BKR

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