NLAS3799BMNR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

NLAS3799BMNR2G图片1

NLAS3799BMNR2G图片2

NLAS3799BMNR2G图片3

NLAS3799BMNR2G概述

DPDT模拟开关,超低导通电阻,2.8V

2 Circuit IC Switch 2:2 400mOhm 16-WQFN 1.8x2.6

得捷:
IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN

贸泽:
模拟开关 IC DPDT ANALOG SWITCH

艾睿:
Analog Switch Dual DPDT 16-Pin QFN T/R

Chip1Stop:
Analog Switch Dual DPDT 16-Pin QFN T/R

力源芯城:
双DPDT模拟开关,超低导通电阻,2.8V

Win Source:
IC SWITCH DUAL DPDT 16WQFN

NLAS3799BMNR2G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 40 µA

电路数 2

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 19 MHz

电源电压Max 4.5 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 WQFN-16

外形尺寸

长度 2.6 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.75 mm

封装 WQFN-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

NLAS3799BMNR2G引脚图与封装图

NLAS3799BMNR2G引脚图

NLAS3799BMNR2G封装图

NLAS3799BMNR2G封装焊盘图

在线购买NLAS3799BMNR2G

型号： NLAS3799BMNR2G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：DPDT模拟开关,超低导通电阻,2.8V

替代型号NLAS3799BMNR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
NLAS3799BMNR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NLAS3799MNR2G 安森美	完全替代	NLAS3799BMNR2G和NLAS3799MNR2G的区别
NLAS3799BLMNR2G 安森美	完全替代	NLAS3799BMNR2G和NLAS3799BLMNR2G的区别
NLAS3799BMUR2G 安森美	完全替代	NLAS3799BMNR2G和NLAS3799BMUR2G的区别