TEXAS INSTRUMENTS OPA659IDRBT 运算放大器, 单路, 350 MHz, 1个放大器, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚
J-FET 放大器 电路 - 8-SON(3x3)
得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON
立创商城:
OPA659IDRBT
德州仪器TI:
650MHz unity gain stable JFET input amplifier
e络盟:
运算放大器, 单路, 1个放大器, 350 MHz, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚
艾睿:
Easily produce a large amount of gain in your electronic circuit by using this voltage feedback amplifier OPA659IDRBT from Texas Instruments in a cascaded fashion. Its typical dual supply voltage is ±6 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±6.5 V. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. It has a single channel per chip. This device utilizes bifet technology. This device uses dual power supplies.
安富利:
OP Amp Single Volt Fdbk ±6.5V 8-Pin VSON EP T/R
Chip1Stop:
JFET/CMOS650MHz unity gain stable JFET input amplifier OP Amp Single Volt Fdbk 6.5V 8-Pin VSON EP T/R
Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±6.5V 8-Pin VSON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS OPA659IDRBT Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 350 MHz, 2550 V/µs, ± 3.5V to ± 6.5V, SON, 8 Pins
输出电流 ≤100 mA
供电电流 32 mA
电路数 1
通道数 1
针脚数 8
共模抑制比 68 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K
带宽 350 MHz
转换速率 2.55 kV/μs
增益频宽积 350 MHz
输入补偿电压 5 mV
输入偏置电流 0.05 nA
可用通道 S
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 650 MHz
增益带宽 350 MHz
共模抑制比Min 68 dB
电源电压Max 6.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON EP-8
封装 VSON EP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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