OPA659IDRBT

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OPA659IDRBT概述

TEXAS INSTRUMENTS  OPA659IDRBT  运算放大器, 单路, 350 MHz, 1个放大器, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚

J-FET 放大器 电路 - 8-SON(3x3)


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON


立创商城:
OPA659IDRBT


德州仪器TI:
650MHz unity gain stable JFET input amplifier


e络盟:
运算放大器, 单路, 1个放大器, 350 MHz, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚


艾睿:
Easily produce a large amount of gain in your electronic circuit by using this voltage feedback amplifier OPA659IDRBT from Texas Instruments in a cascaded fashion. Its typical dual supply voltage is ±6 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±6.5 V. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. It has a single channel per chip. This device utilizes bifet technology. This device uses dual power supplies.


安富利:
OP Amp Single Volt Fdbk ±6.5V 8-Pin VSON EP T/R


Chip1Stop:
JFET/CMOS650MHz unity gain stable JFET input amplifier OP Amp Single Volt Fdbk 6.5V 8-Pin VSON EP T/R


Verical:
Op Amp Single High Speed Amplifier ±6.5V 8-Pin VSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  OPA659IDRBT  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 350 MHz, 2550 V/µs, ± 3.5V to ± 6.5V, SON, 8 Pins


OPA659IDRBT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤100 mA

供电电流 32 mA

电路数 1

通道数 1

针脚数 8

共模抑制比 68 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 350 MHz

转换速率 2.55 kV/μs

增益频宽积 350 MHz

输入补偿电压 5 mV

输入偏置电流 0.05 nA

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 650 MHz

增益带宽 350 MHz

共模抑制比Min 68 dB

电源电压Max 6.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON EP-8

外形尺寸

封装 VSON EP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

OPA659IDRBT引脚图与封装图
OPA659IDRBT引脚图
OPA659IDRBT封装图
OPA659IDRBT封装焊盘图
在线购买OPA659IDRBT
型号: OPA659IDRBT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  OPA659IDRBT  运算放大器, 单路, 350 MHz, 1个放大器, 2550 V/µs, ± 3.5V 至 ± 6.5V, SON, 8 引脚
替代型号OPA659IDRBT
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