Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4Pin3+Tab DFP T/R
RF NPN 10V 40mA 55GHz 136mW 表面贴装型 4-DFP
得捷:
ON5088 - NPN WIDEBAND SILICON GE
立创商城:
ON5088,115
艾睿:
Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 3V 0.04A 4-Pin3+Tab DFP T/R
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Trans RF BJT NPN 3V 0.04A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R
RfMW:
Transistor, NPN wideband silicon germanium RF transistor
耗散功率 0.136 W
输入电容 0.4 pF
输出功率 9 dBm
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 13 dB
最小电流放大倍数hFE 160 @10mA, 2V
额定功率Max 136 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 136 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ON5088,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFR92PE6327HTSA1 英飞凌 | 功能相似 | ON5088,115和BFR92PE6327HTSA1的区别 |