OP506C

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OP506C概述

PHOTOTRANSISTOR 3MM 935NM NPN


得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP VIEW T1


贸泽:
Phototransistors Photo Transistor


艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1


Allied Electronics:
PHOTO TRANSISTOR PLASTIC T-1


Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1


OP506C中文资料参数规格
技术参数

波长 935 nm

峰值波长 935 nm

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 5.08 mm

封装 T-1

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买OP506C
型号: OP506C
描述:PHOTOTRANSISTOR 3MM 935NM NPN

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