OP506W概述
光电晶体管 Photo Transistor
935nm 顶视图 T-1
得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP VIEW T1
贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Allied Electronics:
PHOTO TRANSISTOR FLAT LENS
Newark:
# OPTEK TECHNOLOGY OP506W Photo Transistor
OP506W中文资料参数规格
技术参数
波长 935 nm
峰值波长 935 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1-2
外形尺寸
长度 4.19 mm
宽度 3.18 mm
高度 3.18 mm
封装 T-1-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
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