OP506D参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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OP506D概述

光电晶体管 Photo Transistor

935nm 顶视图 T-1

得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP VIEW T1

贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor

艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1

Allied Electronics:
PHOTO TRANSISTOR PLASTIC T-1

OP506D中文资料参数规格

技术参数

输出电压 ≤30.0 V

波长 935 nm

峰值波长 935 nm

极性 NPN

耗散功率 100 mW

功耗 100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

封装 T-1

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买OP506D

型号： OP506D

制造商： TT Electronics/Optek Technology

描述：光电晶体管 Photo Transistor

替代型号OP506D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
OP506D TT Electronics/Optek Technology	当前型号	当前型号
OP560C TT Electronics/Optek Technology	类似代替	OP506D和OP560C的区别
OP560A TT Electronics/Optek Technology	功能相似	OP506D和OP560A的区别
OP560B TT Electronics/Optek Technology	功能相似	OP506D和OP560B的区别