OP509A概述
OP509 系列 30 Vce 100 mW 10.6 mA 935 nm NPN 光电晶体管 - 2 引脚
890nm 顶视图 径向
得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW RAD
贸泽:
Phototransistors Photo Transistor
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin End Looking
Allied Electronics:
PHOTO TRANSISTOR END LOOKER
Newark:
# OPTEK TECHNOLOGY OP509A Photo Transistor
OP509A中文资料参数规格
技术参数
波长 890 nm
视角 50°
峰值波长 890 nm
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 BOX
外形尺寸
长度 4.19 mm
宽度 1.63 mm
高度 3.81 mm
封装 BOX
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买OP509A
型号： OP509A
描述：OP509 系列 30 Vce 100 mW 10.6 mA 935 nm NPN 光电晶体管 - 2 引脚