OP550D参数规格_中文资料_数据手册PDF

OP550D概述

Phototransistor IR Chip Silicon 2Pin

935nm 侧视图径向

得捷:
SENSOR PHOTO 935NM SIDE VIEW RAD

艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin

Allied Electronics:
PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK

OP550D中文资料参数规格

技术参数

波长 935 nm

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Radial

外形尺寸

封装 Radial

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： OP550D

描述：Phototransistor IR Chip Silicon 2Pin