OP600B

OP600B图片1
OP600B图片2
OP600B图片3
OP600B图片4
OP600B图片5
OP600B概述

光电晶体管 PHOTO TRANSISTOR PILL PACK

Phototransistors 890nm Top View Pill


得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW PILL


贸泽:
光电晶体管 PHOTO TRANSISTOR PILL PACK


艾睿:
Phototransistor Module Silicon 890nm 2-Pin1+Tab


Allied Electronics:
PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL


Chip1Stop:
Phototransistor Module Silicon 890nm 2-Pin1+Tab


OP600B中文资料参数规格
技术参数

波长 890 nm

峰值波长 890 nm

耗散功率 50 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

额定功率Max 50 mW

下降时间 15 µs

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 50 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Pill

外形尺寸

高度 2.92 mm

封装 Pill

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买OP600B
型号: OP600B
描述:光电晶体管 PHOTO TRANSISTOR PILL PACK

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司