OP800B概述
光电晶体管 Photo Transistor
Phototransistors 890nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA
贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 890nm 3-Pin TO-18 Bag
Allied Electronics:
PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18
OP800B中文资料参数规格
技术参数
波长 890 nm
峰值波长 890 nm
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 250 mW
下降时间 7 µs
下降时间Max 7000 ns
上升时间Max 7000 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18-3
外形尺寸
长度 4.75 mm
宽度 4.75 mm
高度 7.61 mm
封装 TO-18-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买OP800B