OP801WSL概述
光电晶体管 Photo Transistor
Phototransistors 890nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA
贸泽:
光电晶体管 Photo Transistor
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 3-Pin TO-18
Allied Electronics:
PHOTOTRANSISTOR NPN 890NM TO-18
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 3-Pin TO-18
OP801WSL中文资料参数规格
技术参数
波长 890 nm
视角 75°
极性 NPN
耗散功率 250 mW
功耗 250 mW
上升时间 7.00 µs
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 250 mW
下降时间 7 µs
下降时间Max 7000 ns
上升时间Max 7000 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18-2
外形尺寸
高度 5.13 mm
封装 TO-18-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买OP801WSL