OP801SL参数规格_中文资料_数据手册PDF

OP801SL概述

Photo Transistor, 930nm , 0.05A IC, HERMETICALLY SEALED, TO-18, 3Pin

Phototransistors 890nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA

艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 3-Pin TO-18

Allied Electronics:
PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18

OP801SL中文资料参数规格

技术参数

波长 890 nm

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 250 mW

下降时间Max 7000 ns

上升时间Max 7000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

高度 6.86 mm

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： OP801SL

描述：Photo Transistor, 930nm , 0.05A IC, HERMETICALLY SEALED, TO-18, 3Pin