光电晶体管 TO-18, NPN SILICON PHOTO TRANS
* High reliability screening patterned after MIL-PRF-19500
* Each lot subjected to Group A & B Lot Acceptance
* Lensed for high sensitivity
* Mechanically and spectrally matched to the OP235TX/TXV and OP236TX/TXV series IREDs
得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP TO206AA
贸泽:
光电晶体管 TO-18, NPN SILICON PHOTO TRANS
艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 3-Pin TO-18
Allied Electronics:
TO-18 Npn Silicon Photo Transistor
波长 890 nm
视角 24°
峰值波长 890 nm
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 250 mW
下降时间Max 10000 ns
上升时间Max 10000 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-206
封装 TO-206
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
OP804TX TT Electronics/Optek Technology | 当前型号 | 当前型号 |
61058-003 Micropac | 功能相似 | OP804TX和61058-003的区别 |
61058-103 Micropac | 功能相似 | OP804TX和61058-103的区别 |