OP501DA概述
光电晶体管 Photo Darlington
Phototransistors 935nm Top View 0805 2012 Metric
得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP VIEW 0805
贸泽:
光电晶体管 Photo Darlington
艾睿:
No Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin SMD
Allied Electronics:
INFRARED PHOTO DARLINGTON; 0805 PKG; BLACK LENS; FLAT
Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin SMD
OP501DA中文资料参数规格
技术参数
波长 935 nm
视角 150°
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
击穿电压集电极-发射极 35 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 60 µs
下降时间Max 60000 ns
上升时间Max 60000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR, Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买OP501DA