ONET8551TYS9

ONET8551TYS9图片1
ONET8551TYS9概述

具有 RSSI 的 11.3Gbps 限幅跨阻放大器 0-WAFERSALE -40 to 100

Transimpedance Amplifier 1 Circuit Wafer


得捷:
IC TRANSIMPEDANCE 1 CIRC WAFER


立创商城:
ONET8551TYS9


艾睿:
11.3-Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI


安富利:
Limiting Transimpedance Amplifier Wafer


ONET8551TYS9中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V

供电电流 28 mA

电路数 1

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 9 GHz

耗散功率Max 92 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 20

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 100℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ONET8551TYS9
型号: ONET8551TYS9
制造商: TI 德州仪器
描述:具有 RSSI 的 11.3Gbps 限幅跨阻放大器 0-WAFERSALE -40 to 100

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