OPA191IDR

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OPA191IDR概述

低功耗、36V e-trim CMOS 精密放大器 8-SOIC -40 to 125

General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC


立创商城:
OPA191IDR


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Low-Power, Precision, 36-V, e-trim CMOS Amplifier


贸泽:
Precision Amplifiers Low-Power, Precision, 36-V, e-trim CMOS Amplifier 8-SOIC -40 to 125


艾睿:
Op Amp Single Precision Amplifier R-R I/O ±18V/36V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Op Amp Single GP R-R I/O ±18V/ 36V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Precision Amplifier R-R I/O ±18V/36V 8-Pin SOIC T/R


OPA191IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 140 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 120dB ~ 140dB

输入补偿漂移 150 nV/K

转换速率 7.50 V/μs

增益频宽积 2.5 MHz

输入偏置电流 0.000005μA @36V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 96 dB

电源电压Max 36 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

OPA191IDR引脚图与封装图
OPA191IDR引脚图
OPA191IDR封装图
OPA191IDR封装焊盘图
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型号: OPA191IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:低功耗、36V e-trim CMOS 精密放大器 8-SOIC -40 to 125

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