OPB730F

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OPB730F概述

OPB730 系列 15 V 50 mA 935 nm 达林顿 反射式物体 传感器 - TO-72

Description:

OPB710and OPB710Fconsist of a gallium arsenide infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor. OPB730and consist of a gallium arsenide infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington.

Features:

• Choice of phototransistor or photodarlington output

• Unfocused for sensing diffuse surface

• Mounted on standard TO-72 header

• Available in clear encapsulating epoxy OPB710, OPB730

• Filtered to reduce the effect of visible or fluorescent lightOPB710F, OPB730F

Applications:

• Non-contact reflective object sensor

• Assembly line automation

• Machine automation

• Machine safety

• End of travel sensor

• Door sensor

OPB730F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

工作电压 1.50 V

输出电压 15.0 V, 30.0 V, 30.0 V max

正向电压 1.5 V

波长 935 nm

输入电流 50.0 mA

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

正向电流 50 mA

击穿电压 3 V

正向电流Max 50 mA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-72

外形尺寸

封装 TO-72

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买OPB730F
型号: OPB730F
描述:OPB730 系列 15 V 50 mA 935 nm 达林顿 反射式物体 传感器 - TO-72

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