OP641SL参数规格_中文资料_数据手册PDF

OP641SL概述

Photodetector Transistors Photo Transistor

Phototransistors 890nm Top View Pill

得捷:
SENSOR PHOTO 890NM TOP VIEW PILL

艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 2-Pin1+Tab

Allied Electronics:
PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL

OP641SL中文资料参数规格

技术参数

波长 890 nm

耗散功率 50 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

额定功率Max 50 mW

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 50 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Pill

外形尺寸

封装 Pill

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买OP641SL

型号： OP641SL

描述：Photodetector Transistors Photo Transistor