Photo Transistor, 880nm , 0.028A IC, 2Pin
880nm 顶视图 径向
得捷: SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
波长 880 nm
视角 40°
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
封装 Radial
工作温度 -20℃ ~ 80℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册